unipolarne

 0    14 Datenblatt    jprdlxdd2
mp3 downloaden Drucken spielen überprüfen
 
Frage język polski Antworten język polski
tranzystor unipolarny
Lernen beginnen
element pp o wlasciwosciach wzmacniajacych w ktorym sterowanie przeplywem pradu odbywa sie za pomoca pola elektrycznego
budowa tr unj
Lernen beginnen
G-bramka. D-dren. S-źródło. B-podłoze
zasada dzialania
Lernen beginnen
polega na sterowanym transporcie jrdnego rodzaju nosnikow. sterowanie transportem odbywa sie w czesci zwanej kanalem. odbywa sie za posrednictwem zmian pola ele. przylozonego do bramki. w wyniku oddzialywania pola ele. kanal moze sie zwezac lub rozszerzac
budowa MOSFET
Lernen beginnen
tranzystor polowy, w ktorym bramka jest oddzielona od kanalu cienka warstwa izolacyjna najczesciej utworzonej z dwutlenku SiO2. dzieki odizolowaniu bramki niezaleznie od polaryzacji teorytycznie nie plynie przez nie zaden prad.
MOSFET z kanalem zubozalym
Lernen beginnen
normalnie wlaczone, tj. takie w ktorych istnieje kanal przy zerowym napieciu bramka-zrodlo
MOSFET z kanalem wzbogacanym
Lernen beginnen
normalnie wylaczone kanal tworzy sie dopiero gdy napiecie bramka-zrodlo przekroczycharakterystyczna wartosc
zasada dzialania MOSFET
Lernen beginnen
jeden rodzaj nosnikow plynal od zrodla do drenu. wyroznia sie dwa zakresy pracy. zakres nasycenia i zakres nienasycenia
zakres pracy
Lernen beginnen
zakres pracy tranzystora seterminuje napiecie dren-zrodlo, jezeli jest ono wieksze od napiecia nasycenia wowczas tranzystor znajduje sie w zakresie nasyceni
tranzystor igbt
Lernen beginnen
grupa energoelektronicznych przyrzadow mocy ktorych budowa jest polaczenie. korzysrnych wlasciwosci tranzystora polowego (sterowanie napieciowe) oraz tranzystora bipolarnego(duzy prad kolektora i maly spadek napiecia Uce)
zastosowanie igbt
Lernen beginnen
falowniki, uklady sterowania silnikami z regulacja impulsowa w ukladach zasilania awaryjnego
obszar omowy
Lernen beginnen
napiecie Vds jeat male, prad drenu zalezy od niego proporcjonalnie. zmiana Vgs powoduje zmia e rezystancjk kanalu, JFET zachowuje sie jak sterowany nalieciowo rezystor
obszar odviecia
Lernen beginnen
napiecie Vgs jest ujemne, kanal zostaje zatkany, nie plynie prad. tranzystor zachowuje sie jak przerwa, ma bardzo wysoka rezystancje
obszar nasycenia
Lernen beginnen
JFET staje sie sobrym przewodnikiem kontrolowanym przez napiecie Vgs, napiecie dren-zrodlo ma maly wplyw na prad drenu lub zaden
obszar przebicia
Lernen beginnen
napiecie Vds staje sje na tyle wysokie, ze przebija kanal i prad plynie przez niego w sposob niekontrolowany

Sie müssen eingeloggt sein, um einen Kommentar zu schreiben.